HBT是英文heterojunction bipolar transistor的首字母缩写，翻成中文是异质结双极型晶体管。不同的半导体材质，其能带结构不一样，两者相处时的界面会形成独特的过渡层，具有同质结所没有的高速特性。HBT在双极性晶体管BJT的基础上，把发射区改用宽带隙的半导体材料，同质的发射结改为异质的，大大提升了发射极的效率和电子迁移率，具有开关速度快，工作温度范围宽等优点。
VCSEL是Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser首字母缩写，中文是垂直共振腔面射型激光器。其激光垂直于顶面射出，与一般的边发射激光器结构不同。因为便于耦合，成本较低，广泛用于数据通信和消费电子领域。
HBT和VCSEL是不同的半导体结构，用于不同的领域。